不同X射线探测器之间有什么区别

　　现有的X射线探测器几乎都是由一个把X射线的光信号转换成电信号的光电二极管和一个接收电信号并成像的装置组成，根据后者的工作原理不同大致上目前可以分成三个种类：CCD(电荷耦合器件)、TFT(平板薄膜晶体管)和IGZO(铟镓锌氧化物)三个种类。CCD技术zui早，成本也zui低。TFT比较晚，是目前的主流应用技术。IGZO是zui晚出现的新技术，也就在近几年才强势进入市场。而从光电二极管的工作原理上分，又可以分为非晶硅(a-Si)探测器、互补型金属氧化物半导体(CMOS)/单晶硅探测器、非晶硒探测器和碲化镉/碲锌镉(CdTe/CZT)探测器等。下面就据以上分类分别介绍每种探测器的原理和优劣。

　　闪烁体探测器

　　NaI(Tl)探测器作为一种常用的闪烁体探测器，其优点在于：对光子探测效率和相对发光效率比较高;同时价格便宜、使用方便;尺寸可以做得比较准确，并可以准确计算出探测效率，对于需要测量射线强度而能量分辨率要求不高的场合应用广泛。但是对于探测X射线而言，探测能量的线性度不好，其能量分辨率很差，一般都在50%-60%;而且NaI(Tl)探测器需要配备光电倍增管，系统较为笨重。

　　气体探测器

　　正比计数器也普遍用于测量X射线的强度和能量，理论上只要正比计数器中产生一个电子-离子对就能产生气体放大，形成可以探测到的信号，所以正比计数器具有探测能量下限低的优点。在测量低能γ和X射线时，分辨率为14%～20%，相比于NaI(Tl)探测器好2-3倍，但仍远不如半导体探测器。能量谱线加宽除了有离子对数产生的统计涨落原因外，还有制造工艺上的问题，为达到较好的分辨率***采取纯化气体和选择均匀的阳极丝等措施。

　　半导体探测器