不同X射线探测器之间有什么区别

　　六十年代以来，半导体探测器作为一种核辐射探测器元件迅速的发展起来。它具有线性响应好，能量分辨率高，脉冲上升时间短，探测效率高，偏压低(除锗和高纯硅探测器需要上千伏的偏压外)，结构简单，操作方便。何知宇.硒化镉多晶合成与单晶生长工艺的改进。因此广泛的应用于核物理实验和研究方面，而且在许多核科学技术应用中取代了气体探测器和闪烁计数器。常见的γ/X半导体探测器有高纯锗探测器(HPGe)、硅锂漂移探测器(SiLi)等

　　Si(Li)半导体探测器具有高能量分辨率、高探测效率、低工作偏压，且能量的线性与粒子种类和质量无关等特点，适合于精密的低能γ/X射线能谱测量。但由于Si(Li)探测器灵敏区较厚，在室温条件下其漏电流的涨落是探测器噪声的主要来源，所以***工作在低温条件下。针对γ/X射线的测量，为了避免由于温度变化引起的热应力和漂移锂的重新分布，zui好还是要在低温下保存。