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氮化铝垫片16.3mm 8.9mm 1mm绝缘 高导热散热片
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  • 基本信息
  • 详细说明 常规规格尺寸 笔记本专用 氮化铝散热片 高导热 大功率 导热片 陶瓷片 ◆ TO-220、1mm* 14mm*20mm 1mm*12mm*18mm ◆ TO- 3P、 1mm*20mm*25mm 0.635mm*20mm*25mm ◆ TO-264、1mm*22mm*28mm 0.635mm*22mm*28mm ◆ T0-247、1mm*17mm*22mm 0.635mm*17mm*22mm 1mm*140mm*190mm 0.635mm*140mm*190mm 1mm*115mm*115mm 1mm*100mm*100mm AIN氮化铝,晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有***的耐侵蚀性。 性能指标 Ø(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上； Ø(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配； Ø(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良； Ø(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结； Ø(5)光传输特性好； Ø(6)***； AlN陶瓷基片主要性能指标 性能内容 性能指标 热导率(W/m·k） ≥170 体积电阻率（Ω·cm） ＞1013 介电常数[1MHz,25℃] 9 介电损耗[1MHz,25℃] 3.8х10-4 抗电强度(KV/mm) 17 体积密度（g/cm3） ≥3.30 表面粗糙度Ra(μm) 0.3~0.5 热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃) 4.6 抗弯强度(MPa) 320~330 弹性模量(GPa) 310~320 莫氏硬度 8 吸水率(%) 0 翘曲度(~/25(长度)) 0.03~0.05 熔点 2500 外观/颜色 灰白色 注：1.表面光洁度经抛光处理后，Ra≤0.1μm； 2.产品各向尺寸精度通过激光划线保证，小值±0.10mm； 3.特殊规格产品可按客户要求定制生产。 氮化铝陶瓷片(也叫薄膜金属化基板)广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等。 深圳嘉龙微电子有限公司 公司电话： 公司传真： 邮箱： 网址： 公司地址：深圳市龙岗区龙岗大道8288号
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